введение примеси

введение примеси

 

введение примеси
легирование
примесь
 —
[Л.Г.Суменко. Англо-русский словарь по информационным технологиям. М.: ГП ЦНИИС, 2003.]

Тематики

  • информационные технологии в целом

Синонимы

  • легирование
  • примесь

EN

  • doping


Справочник технического переводчика. – Интент. 2009-2013.

Игры ⚽ Поможем написать курсовую

Смотреть что такое "введение примеси" в других словарях:

  • введение примеси — priemaišos įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity incorporation; impurity intrusion vok. Fremdstoffeindringung, f; Fremdstoffeinlagerung, f; Störstelleneinlagerung, f rus. введение примеси, n; внедрение примеси,… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • боковое введение примеси — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • горизонтальное введение примеси — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • внедрение примеси — priemaišos įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity incorporation; impurity intrusion vok. Fremdstoffeindringung, f; Fremdstoffeinlagerung, f; Störstelleneinlagerung, f rus. введение примеси, n; внедрение примеси,… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ — дозированное введение в полупроводник примесей или структурных дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное Л. п. Электрич. свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации вводимых… …   Физическая энциклопедия

  • lateral impurity placement — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • placement latéral du dopant — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • seitliche Dotierung — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • šoninis priemaišų įterpimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Fremdstoffeindringung — priemaišos įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity incorporation; impurity intrusion vok. Fremdstoffeindringung, f; Fremdstoffeinlagerung, f; Störstelleneinlagerung, f rus. введение примеси, n; внедрение примеси,… …   Radioelektronikos terminų žodynas


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
… Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»